Связаться с нами
Высокие технологии
для цифровой экономики
Продукты и решения
Фильтры
Гидрофобизатор «Гидрофоб Shv»
Система для создания высокопрочного супергидрофобного покрытия с антиобледенительными свойствами для защиты от воздействия влаги и грязи, эрозии, масел, красителей, клеевых растворов и латекса.
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Защитное электроизоляционное покрытие "Универсал"
Предназначено для поверхностной защиты изделий электронной техники с объемным и печатным монтажом на печатных платах из различных материалов, влагозащиты конструкционных узлов из разнородных материалов, линий задержки, волноводов, антенн, обтекателей, солнечных батарей, в качестве антиобледенительного покрытия.
4 200 руб.
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Пропиточно-заливочный электроизоляционный кремнийорганический компаунд "Эластек"
Предназначен для корпусной и бескорпусной заливки высоко и низковольтных трансформаторов, работающих на ферритовых и пермаллоевых сердечниках, дросселей, выпрямителей, с проводами сечением до 8 мкм, функциональных блоков, с полупроводниковыми элементами, жидкими кристаллами, печатных плат с навесным монтажом, модулей РЭА и электронных приборов, содержащих тензочувствительные элементы, для изделий наземного и бортового исполнения, работающих в экстремальных условиях.
9 100 руб.
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Радиоэкранирующий компаунд "РЭСК-1"
Для соединения металлических и неметаллических поверхностей, в различных комбинациях с другими материалами при создании радиогерметичных конструкций, а также для применения в электронных приборах, в том числе в радарных и антенных системах в качестве экранирующих материалов для создания экранирующих поверхностей и замкнутых объемов радиоэлектронной аппаратуры.
30 000 руб.
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Эпоксидный самозатухающий компаунд "ЭКС"
Предназначен для пропитки и заливки высоковольтных и низковольтных многослойных моточных изделий пожаробезопасного исполнения, для герметизации тензочувствительных элементов радиоэлектронной аппаратуры, для корпусной и бескорпусной заливки тензочувствительной аппаратуры пожаробезопасного исполнения, для заливки высоковольтных и низковольтных изделий радиоэлектронной аппаратуры, печатных плат, электронных компонентов, корпусного и бескорпусного исполнения, работающих в диапазоне высоких температур для хорошего отвода тепла, для заливки низковольтных и высоковольтных изделий, работающих в диапазоне высоких и сверхвысоких частот (ВЧ и СВЧ), пожаробезопасного исполнения, в интервале температур  --60°С...+125°С, в том числе антенн, волноводов, обтекателей и других изделий радиоэлектронной аппаратуры, для корпусной и бескорпусной заливки.
4 300 руб.
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Эпоксидный высокопрочный клей-компаунд "ЭДУ-УП"
Для для склеивания металлических и неметаллических поверхностей из стали, алюминия, титана, керамики, пьезокерамики, поликора и других материалов, для крепления: электро и радиоэлементов, в том числе ультразвуковых элементов, микросхем, микросборок к печатным платам из любого материала с лакированной и нелакированной поверхностью, для пропитки моточных высоко и низковольтных изделий, для заливки узлов радиоэлектронной и электротехнической аппаратуры.
8 890 руб.
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Арсин высокой чистоты
Арсин высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Фосфин высокой чистоты
Фосфин высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Аммиак высокой чистоты
Аммиак высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Тетрахлорид кремния
Выращивание эпитаксиальных структур кремния и производства диоксида кремния, применяемых в производстве полупроводниковых приборов и волоконно-оптических линий связи
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Триметилгаллий
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Триметилалюминий
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Диэтилцинк
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5