Диэтилцинк
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Триметилалюминий
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Триметилгаллий
Производство изделий электроники (эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5) методом химического осаждения из газовой фазы МОС-гидридным методом (MOCVD).
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Тетрахлорид кремния
Выращивание эпитаксиальных структур кремния и производства диоксида кремния, применяемых в производстве полупроводниковых приборов и волоконно-оптических линий связи
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Аммиак высокой чистоты
Аммиак высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Фосфин высокой чистоты
Фосфин высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5
Арсин высокой чистоты
Арсин высокой чистоты предназначен для выращивания эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений A3B5
Цена по запросу
Открыть
Диапазон установки потока, л/мин: от 0.75 до 15
Давление, бар: от 2,2 до 5